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陕西省2023-2024学年度第一学期七年级期中质量调研（W）q物理试卷答案

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13.(10.分)2023年将是芯片行业重要的里程碑。中国可能会成为全球生产芯片的重要国家之一。离子注入是芯片制造过程中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理的示意图,A处的离子无初速的“飘入”加速电场,经电场加速后从P点沿半径方向进入半径为r的圆形匀强磁场区域,经磁场偏转,最后打在竖直放置的硅片上。离子的质量为m、电荷量为q,,加速电场的电压为U,不计离子重力。求:(1)离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小v;(2)若磁场方向垂直纸面向外,离子从磁场边缘上某点出磁场时,可以垂直打到硅片上,求圆形区域内匀强磁场的磁感应强度B0的大小。

陕西省2023-2024学年度第一学期七年级期中质量调研（W）q物理第一部分

10如图所示,在两无限长、距离为2a的竖直边界AC和DE间,上、下部分分别存在方向垂直于ACDE平面向外的匀强磁场I、Ⅱ,上、下部分区域的磁感应强度大小分别为B0、2B0,OF为上、下磁场的水平分界线.质量为m、带电荷量为+q的粒子甲从AC边界上的某点P(图中未画出)以某一速度垂直于AC边界射入磁场I,粒子恰能通过OF的中点Q进人磁场Ⅱ.不考虑粒子重力,下列说法正确的是A.若粒子人射的速率v=qB0am,,则OP的距离为v=qB0am,3mqB0C.若粒子在Q点时速度方向与ADB0·I^.QFB.若粒子人射的速率则粒子在磁场内运动的时间为OF成45^角,则粒子在磁场内运动的时间为3m2qB0CED.若粒子在Q点时速度方向与OF成45^角,则粒子离边界DE的最小距离为3-22a

陕西省2023-2024学年度第一学期七年级期中质量调研（W）q物理第二部分（待更新）

8.一定质量的理想气体,状态变化依次经历从IⅡ,再从Ⅱ→Ⅲ的过程,其压强p和温度T的关系如图所示,根据p-T图像,下列说法正确的是A.状态I的体积小于状态Ⅲ的体积B.状态1的内能大于状态Ⅲ的内能过程,气体从外界吸热D.从一Ⅲ过程,气体的分子数密度增大