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q安徽省2023~2024学年度届九年级阶段诊断 R-PGZX F-AH(三)3化学试卷答案

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8.2SO2(g)+O2(g)2SO3(g)H=-198kJmol^-1,在V2O5存在时,该反应的机理为V2O3+SO22VO2+SO3((快)、、4VO2+O22V2O3(慢)。下列说法正确的是A.反应速率主要取决于V2O5的质量B.V2O3是反应的中间产物C.逆反应的活化能大于198kJmol^-1D.升高温度,正反应速率减慢,逆反应速率加快

3T1^C③T℃时,反应前容器内气体压强为pokPa,p0kPa,。Pa,0tmintmin,则0~tmin内,反应的平均速率v(CO,)=min,v(CO2)=0-点对应平衡状态的时间为22((用代数式表示)molL^-1^-1;当n(NH3)n(CO2)=n=n时时,水蒸气的平衡分压是平衡分压是p2kPa。,该温度下反应Ⅱ用分压表示的平衡常数KP=P15(用代数式表示);保持温度不变,平衡后再向容器中充人一定量水蒸气时,|NH2COONH4的平衡产率增大(填“增大“减小”或“不变”)。

5.氧化镓(Ga2O3)是第四代半导体的代表,被视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料,氧化镓、碳化硅、氮化镓均为熔点很高、硬度很大的化合物,其中碳化硅、氮化镓结构与金刚石类似。下列说法错误的是A.Ga2O3的熔点高于GaNB..碳化硅晶体中只存在C-Si极性键C.GaN晶体中所有原子均采取sp^3杂化D.氧化铵、碳化硅、氮化镓均为共价晶体,不导电